多晶硅片检测标准

1、DB13/T 1633-2012 太阳能级多晶硅片

2、GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

3、GB/T29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

4、GB/T29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试　自动非接触扫描法

5、GB/T6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法　非接触涡流法

6、GB/T6617-2009 硅片电阻率测定　扩展电阻探针法

多晶硅片检测范围

多晶硅片，半导体硅片，切割硅片，镀膜硅片，单晶硅片，太阳能硅片，光伏硅片等。

多晶硅片检测项目

老化寿命检测，碳氧含量检测，压电系数测试，ECV测试，负载测试，硬度测试，抗弯强度测试，晶圆测试，表面杂质检测，电阻率测试，翘曲度测试，厚度测试，表面粗糙度测试，燃烧测试，弯曲度测试，平整度检测等。

多晶硅片检测流程

1、沟通需求（在线或电话咨询）；

2、寄样（邮寄样品支持上门取样)；

3、初检（根据客户需求确定具体检测项目）；

4、报价（根据检测的复杂程度进行报价）；

5、签约（双方确定--签订保密协议）；

6、完成实验（出具检测报告，售后服务）；

以上是多晶硅片检测的相关介绍，如有其他检测需求可以咨询实验室工程师帮您解答。

清析技术研究院可提供相关检测服务，提供CMA/CNAS资质检测报告，致力于产品研发、成分分析、材料检测、工业诊断、模拟测试、大型仪器测试、可信性验证等技术服务，实验室设施完备、强大的项目专家检测团队。